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              MTMC8E2A0LBF
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MTMC8E2A0LBF

更新时间:2024-11-19 16:42:54
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MTMC8E2A0LBF外观图

  • 数据列表：MTMC8E2A0LBF View all Specifications
  • 产品培训模块：MOSFETs for Power Management
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：21 毫欧 @ 2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1450pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装：W迷你型8-F1
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MTMC8E2A0LBFTR
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