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              NIF62514T1G
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NIF62514T1G

更新时间:2024-11-29 00:41:45
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NIF62514T1G外观图

  • 大小：75.71KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Self−protected FET with Temperature and Current Limit
  • 标准包装：1,000
  • 类别：集成电路 (IC)
  • 家庭：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列：HDPlus™
  • 类型：低端
  • 输入类型：非反相
  • 输出数：1
  • 导通状态电阻：90 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道：-
  • 电流 - 峰值输出：6A
  • 电源电压：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NIF62514T1GOSNIF62514T1GOS-NDNIF62514T1GOSTR
NIF62514T1G 相关信息
  • NIF62514T1G的技术参数
    产品型号:NIF62514T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):42源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):－通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT223/-55~175描述:自保护FET带过温和过流限制，电压钳位价格/1片(套):￥3.60 来源:xiangxueqin
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