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              NSBA115EDXV6T1G
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NSBA115EDXV6T1G

更新时间:2024-11-22 20:54:57
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NSBA115EDXV6T1G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NSBA115EDXV6T1G外观图

  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：100k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：100k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：-
  • 功率 - 最大：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装：SOT-563
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NSBA115EDXV6T1G-NDNSBA115EDXV6T1GOSTR
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