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NSS30070MR6T1G

更新时间:2024-11-23 17:49:00
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NSS30070MR6T1G外观图

  • 产品培训模块:Low Vce(sat) BJT Power Savings
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):700mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 70mA,700mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):150 @ 100mA,3V
  • 功率 - 最大:342mW
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装:SC-74
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NSS30070MR6T1G-ND
NSS30070MR6T1G 相关信息
  • 安森美 VCE(sat) 双极结晶体管
    ...减材料单(BOM)。如在提供低于1.0伏(V)的低导通电压后,就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力,所以也无需阻塞二极管。 PNP 器件 NSS12200WT1G 12 V, 3.0 A, 163 milliohm (SC-88) NSS30070MR6T1G 30 V, 0.7 A, 320 milliohm (SC-74) NSS35200CF8T1G 35 V, 7.0 A, 78 milliohm (Chip-FET) NSS40400CF8T1G 40 V, 7.0 A, 78 milliohm (Chip-FET) NSS20300MR6T1G 20 V, 5.0 A, 7...

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