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              NTMS4101PR2
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NTMS4101PR2

更新时间:2024-11-22 18:58:34
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NTMS4101PR2的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NTMS4101PR2外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：19 毫欧 @ 6.9A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：32nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3200pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.38W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTMS4101PR2OS
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