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              NTHS5404T1G
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NTHS5404T1G

更新时间:2024-11-21 23:42:45
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TS321ILTTDA9801T2SB1188 T100QIRF540NSTRLPBFSP485EEN-L/TRFR155TDA8395PSR2150
NTHS5404T1G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NTHS5404T1G外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 5.2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：600mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装：ChipFET?
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTHS5404T1GOSNTHS5404T1GOS-NDNTHS5404T1GOSTR
NTHS5404T1G 相关信息
  • NTHS5404T1G的技术参数
    产品型号:NTHS5404T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):7.200通道极性:N沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20V, 7.2A,功率MOSFET价格/1片(套):￥2.74 来源:xiangxueqin
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