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NTLJD3115PT1G

更新时间:2024-11-22 09:51:58
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NTLJD3115PT1G外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:6.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:531pF @ 10V
  • 功率 - 最大:710mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装:6-WDFN(2x2)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTLJD3115PT1G-NDNTLJD3115PT1GOSTR
NTLJD3115PT1G 相关信息
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