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              NTP52N10G
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NTP52N10G

更新时间:2024-11-24 22:17:56
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NTP52N10G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NTP52N10G外观图

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：60A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 26A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：135nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3150pF @ 25V
  • 功率 - 最大：214W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：NTP52N10GOS
NTP52N10G 相关信息
  • NTP52N10G的技术参数
    产品型号:NTP52N10G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150描述:60 A, 100 V功率MOSFET价格/1片(套):￥18.40 来源:xiangxueqin
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