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PEMD13,115

更新时间:2024-10-19 22:09:37
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  • 大小:141.1KB
  • 厂家:NXP Semiconductors
  • 描述: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-666; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:100mV; Current Ic Continuous a Max:5mA; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-666; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):1µA
  • 频率 - 转换:-
  • 功率 - 最大:300mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装:SOT-666
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:934056866115PEMD13 T/RPEMD13 T/R-ND

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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