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PUMD9

更新时间:2024-11-14 18:15:02
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PUMD9的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PUMD9外观图

  • 晶体管极性:：npn型/ PNP输出
  • 电压, Vceo:：50V
  • 功耗, Pd:：200mW
  • 集电极直流电流:：100mA
  • 直流电流增益 hFE:：100
  • 工作温度范围:：-65°C 到 +150°C
  • 封装类型:：SOT-363
  • 针脚数:：6
  • SVHC(高度关注物质):：No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功耗:：200mW
  • 封装类型:：SOT-363
  • 总功率, Ptot:：300mW
  • 晶体管数:：2
  • 晶体管类型:：偏压电阻（BRT）
  • 最大连续电流, Ic:：100A
  • 模块配置:：双
  • 满功率温度:：25°C
  • 电压, Vcbo:：50V
  • 电流, Ic hFE:：5mA
  • 电流, Ic 最大:：100A
  • 电阻, R1:：10kohm
  • 电阻, R1 PNP:：10kohm
  • 电阻, R2:：47kohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:：100
  • 表面安装器件:：表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:：100mV
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