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              RFP22N10
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RFP22N10

更新时间:2024-11-22 12:33:02
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RFP22N10 相关资料

  • 其它信息：

    22.0A/100V

    电流参数：ID=22A/IDM=50A
    电压参数：UDSS=100    V/UGS=±20V
    功  率： PD=100W
    其他参数：10V/0.08Ω，    tn=200ns
    极性：N

RFP22N10的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

RFP22N10外观图

  • 标准包装：400
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：22A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 22A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：100W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
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