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              RTQ035P02TR
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RTQ035P02TR

更新时间:2024-11-22 02:40:25
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RTQ035P02TR的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

RTQ035P02TR外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：65 毫欧 @ 3.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1200pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商设备封装：TSMT6
  • 包装：带卷 (TR)
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