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SI3483CDV-T1-E3

更新时间:2024-11-27 12:43:20
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  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:34 毫欧 @ 6.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1000pF @ 15V
  • 功率 - 最大:4.2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装:6-TSOP
  • 包装:带卷 (TR)
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