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              SI3851DV-T1-E3
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SI3851DV-T1-E3

更新时间:2024-11-23 01:37:22
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SI3851DV-T1-E3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI3851DV-T1-E3外观图

  • 数据列表：SI3851DV
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：二极管（隔离式）
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 1.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：830mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
  • 供应商设备封装：6-TSOP
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI3851DV-T1-E3TR
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