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              SI4410DY
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SI4410DY

更新时间:2024-11-19 01:06:52
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SI4410DY 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=10A/IDM=50A
    电压参数：UDS=30V/UGS=±20V
    功    率：Ptot=2.5W
    其他参数：10V/11mΩ,4.5V/15mΩ
    极    性：N

SI4410DY的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI4410DY外观图

  • 标准包装：95
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13.5 毫欧 @ 10A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1585pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：管件
  • 其它名称：*SI4410DY
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