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SI4420DY

更新时间:2024-11-17 06:59:51
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    SI4420DY-T1
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SI4420DY 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:ID=13.5A/IDM=50A/IS=2.7A
    电压参数:UDS=30V/UGS=±20V
    功    率:Ptot=3W
    其他参数:10V/0.0075Ω,4.5V/0.01Ω,tn=50ns
    极    性:N

SI4420DY的中文资料 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准

SI4420DY外观图

  • 标准包装:95
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9 毫欧 @ 12.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:78nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2240pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SO
  • 包装:管件
  • 其它名称:*SI4420DY
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