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SI4488DY

更新时间:2024-11-23 09:38:22
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SI4488DY 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=3.5A/IDM=50A/IS=1.4A
    电压参数：UDS=150V/UGS=±20V
    功    率：PD=1.56W
    其他参数：10V/0.041Ω,tn=40ns
    极    性：N

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SI4488DY外观图

  • 大小：45.13KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：150 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：3.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：50 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Tube
  • 下降时间：7 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.56 W
  • 上升时间：7 ns
  • 工厂包装数量：100
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：22 ns
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