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SI4500DY-T1

更新时间:2024-11-26 06:28:37
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SI4500DY-T1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI4500DY-T1外观图

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：7 A, 4.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：30 mOhms, 65 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 下降时间：20 ns, 40 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.5 W
  • 上升时间：40 ns, 32 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：50 ns, 57 ns
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