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SI4511DY

更新时间:2024-11-19 09:06:15
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SI4511DY 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:ID=7.2A-4.6A/IDM=40A&-40A/IS=0.9A&0.9A
    电压参数:UDS=20V&-20V/UGS=±16V&±12V
    功    率:PD=1.1W
    其他参数:10V/0.0115Ω,4.5V/0.0135Ω,tn=4.5V/0.022Ω,2.5V/0.035Ω,tn=50ns,tn=40ns
    极    性:N/P

SI4511DY 相关搜索
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    [相关信息]...要。集成驱动是一个具有完整功能的独立驱动板,具有安装方便、驱动高效、保护可靠等优点,是目前大、中功率IGBT 驱动和保护的最佳方式。 集成驱动一般包括板上DC-DC 隔离电源、PWM 信号隔离、功率放大、故障保护等4 个功能电路,各功能电路之间互相...
    SI4532ADY-T1[技术参数]制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 晶体管极性:N and P-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压:+/- 20 VSI4532ADY-T1-E3[技术参数]标准包装:2,500 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 阵列 系列:TrenchFET® FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门SI4532DY[技术参数]产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing 标准包装:2,500 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 阵列 SI4532 SI4532A SI4532ADT-T1 SI4532BY-T1 SI4532CDY-T1-E3 SI4532DY_NL SI4532DY-NL SI4532DY-T SI4532DYT1 SI4532DY-T1 SI4532DY-T1-E3 SI4538ADY-T1 SI4539 SI4539A SI4539ADY SI4539ADYT1

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