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SI4558DY-T1

更新时间:2024-11-21 00:01:20
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SI4558DY-T1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI4558DY-T1外观图

  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：40 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 下降时间：24 ns, 25 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.4 W
  • 上升时间：12 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：27 ns, 38 ns
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