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SI4837DY

更新时间:2024-11-22 06:32:13
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SI4837DY 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=-6.1A/IDM=-40A/IS=-1.25A
    电压参数：UDS=-30V/UGS=±20V
    功    率：PD=1.38W
    其他参数：10V/0.0165Ω,4.5V/0.0245Ω,tn=45ns
    极    性：P

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SI4837DY外观图

  • 大小：62.84KB
  • 厂家：VISAY
  • 描述：Vishay Siliconix [P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode]
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：6.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 下降时间：21 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.38 W
  • 上升时间：15 ns
  • 工厂包装数量：100
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：56 ns
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