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SI4876DY

更新时间:2024-11-22 02:54:54
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SI4876DY 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=14A/IDM=50A/IS=1.3A
    电压参数：UDS=20V/UGS=±12V
    功    率：PD=1.6W
    其他参数：4.5V/0.0037Ω,2.5V/0.0058Ω,tn=56ns
    极    性：N

SI4876DY的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：21 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：5 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 下降时间：30 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：3.6 W
  • 上升时间：30 ns
  • 工厂包装数量：100
  • 典型关闭延迟时间：175 ns
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