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SI4890DY

更新时间:2024-11-25 08:13:48
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SI4890DY 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=±11A/IDM=±50A/IS=2.3A
    电压参数：UDS=30V/UGS=±25V
    功    率：PD=2.5W
    其他参数：10V/0.0098Ω,4.5V/0.0164Ω,tn=35ns
    极    性：N

SI4890DY的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 25 V
  • 漏极连续电流：11 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 下降时间：17 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.5 W
  • 上升时间：8.5 ns
  • 工厂包装数量：100
  • 典型关闭延迟时间：35 ns
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