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SI4967DY

更新时间:2024-11-22 01:19:25
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SI4967DY 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=7.5A/IDM=-30A/IS=-1.7A
    电压参数：UDS=-12V/UGS=±8V
    功    率：PD=2W
    其他参数：4.5V/0.019Ω,2.5V/0.024Ω,1.8V/0.033Ω,tn=50ns
    极    性：P
    备    注：双场效应管

     

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  • 大小：62.57KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：12 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：7.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：23 mOhms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 下降时间：95 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2 W
  • 上升时间：40 ns
  • 工厂包装数量：100
  • 典型关闭延迟时间：210 ns
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