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SI6410DQ

更新时间:2024-11-23 00:54:38
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SI6410DQ 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=7.8A
    电压参数：UDSS=30V/UGSS=±20V
    功率：PD=1.4W
    其他参数：10V/11mΩ、4.5V/14mΩ,trr=24ns
    极  性：N

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SI6410DQ外观图

  • 大小：162.44KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：30V N-Channel PowerTrench MOSFET
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：7.8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms
  • 配置：Single Triple Drain Quad Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSSOP-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：8 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.4 W
  • 上升时间：8 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：30 ns
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