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SI7866ADP

更新时间:2024-11-22 07:19:11
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SI7866ADP 相关信息
  • 面向OR-ing应用的功率MOSFET（Vishay）
    ...需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中，这可实现通过 12V 的轨电压拓扑结构增加功率密度。 为在静止空气环境中实现最佳散热效果，Vishay 正在推出采用热增强型 PowerPAK® SO-8 封装的SI7866ADP。SI7866ADP在 10V 时最大额定导通电阻值为 2.4 毫欧，该器件将低传导损耗与强大可靠的热性能进行了完美结合。最大结到外壳热阻为 1.5°C/W，而标准 SO-8 提供的结到脚（junction-...
  • Vishay推出面向OR-ing应用的TrenchFET功率...
    ...需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中，这可实现通过12V的轨电压拓扑结构增加功率密度。 为在静止空气环境中实现最佳散热效果，Vishay正在推出采用热增强型PowerPAK SO-8封装的SI7866ADP。SI7866ADP在10V时最大额定导通电阻值为2.4毫欧，该器件将低传导损耗与强大可靠的热性能进行了完美结合。最大结到外壳热阻为1.5℃/W，而标准SO-8提供的结到脚(junction-to-foot)热阻...
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