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              SI7117DN-T1-E3
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SI7117DN-T1-E3

更新时间:2024-11-22 04:55:47
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SI7117DN-T1-E3外观图

  • 大小：553KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
  • 数据列表：SI7117DN
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.17A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.2 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：510pF @ 25V
  • 功率 - 最大：12.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI7117DN-T1-E3TR
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