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              SI8429DB-T1-E1
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SI8429DB-T1-E1

更新时间:2024-11-22 09:24:41
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SI8429DB-T1-E1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI8429DB-T1-E1外观图

  • 数据列表：SI8429DB
  • 特色产品：MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫欧 @ 1A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：800mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1640pF @ 4V
  • 功率 - 最大：6.25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：4-XFBGA，CSPBGA
  • 供应商设备封装：4-Microfoot
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI8429DB-T1-E1TR
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