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              SIR850DP-T1-GE3
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SIR850DP-T1-GE3

更新时间:2024-11-21 21:03:27
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SIR850DP-T1-GE3的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SIR850DP-T1-GE3外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1120pF @ 15V
  • 功率 - 最大：41.7W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SIR850DP-T1-GE3TR
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