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              SPU11N10
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SPU11N10

更新时间:2024-11-25 01:33:22
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SPU11N10的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SPU11N10外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：SIPMOS?
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：170 毫欧 @ 7.8A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 21μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18.3 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：400 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：P-TO251-3-1
  • 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
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