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STGW40N120KD

更新时间:2024-11-25 06:34:35
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STGW40N120KD外观图

  • 其它有关文件:STGW40N120KD View All Specifications
  • 特色产品:STGW30N120KD & STGW40N120KD IGBTs
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:PowerMESH™
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):3.85V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):80A
  • 功率 - 最大:240W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商设备封装:TO-247-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-10000-5
STGW40N120KD 相关信息
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    意法半导体近日推出新系列功率晶体管,可最大限度降低电机控制电路的两大能耗源,降低家电、供暖通风空调系统、工业机床等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款导通损耗很低的绝缘栅双极晶体管IGBT0,可降低开关损耗。新系列产品的额定工作电压为1200V,可用于440V或480V的交流线电压。 飞思卡尔扩展适合消费电子和工业应用的智能触摸传感选件 飞思卡尔半导体日前表示...
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    日前,意法半导体(ST)推出新系列功率晶体管,可最大限度降低电机控制电路的两大能耗源,降低家电、供暖通风空调(HVAC)系统、工业机床等日用设备对环境的影响。STGW30N120KD和STGW40N120KD是两款导通损耗很低的绝缘栅双极晶体管(IGBT),可降低开关损耗。 这两款IGBT采用意法半导体的PowerMESH™制程,节能降耗,并全面提升能效。更低的开关损耗意味着更高的开关频率,更高的...

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