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              STP12NM50
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STP12NM50

更新时间:2024-11-24 22:05:21
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STP12NM50 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=12A
    电压参数：UDS=500V/UGS=±30V
    功  率：Ptot=160W
    其他参数：10V/0.3Ω,trr=270ns
    极  性：N

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STP12NM50外观图

  • 其它有关文件：STP12NM50 View All Specifications
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：MDmesh™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：350 毫欧 @ 6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1000pF @ 25V
  • 功率 - 最大：160W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-2666-5
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