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              STQ1NK80ZR-AP
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STQ1NK80ZR-AP

更新时间:2024-11-21 20:47:18
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STQ1NK80ZR-AP的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STQ1NK80ZR-AP外观图

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：SuperMESH™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：300mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：7.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：160pF @ 25V
  • 功率 - 最大：3W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：497-6197-6
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