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STW50N10

更新时间:2024-11-21 16:32:36
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STW50N10 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=50A/IDM=200A
    电压参数：UDS=100V/UGS=±20V
    功   率：Ptot=180W
    其他参数:10V/0.027Ω,trr=200ns
    极  性:N

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STW50N10 PDF下载
  • 大小：94.58KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：100 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：50 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.035 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-247
  • 下降时间：35 ns
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：180 W
  • 上升时间：75 ns
  • 工厂包装数量：30
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