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SUB65P06-20

更新时间:2024-11-25 15:08:11
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SUB65P06-20 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=-65A/IDM=-200A
    电压参数：UDS=-60V/UGS=±20V
    功   率：PD=3.7W
    其他参数:10V/0.017Ω,trr=70ns
    极  性:P

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  • 大小：55.06KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：65 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：30 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：250 W
  • 上升时间：40 ns
  • 工厂包装数量：800
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：65 ns
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