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UMG8NTR

更新时间:2024-11-22 06:36:05
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UMG8NTR外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA
  • 频率 - 转换:250MHz
  • 功率 - 最大:150mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353
  • 供应商设备封装:UMT5
  • 包装:带卷 (TR)
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