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              UNR521E00L

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UNR521E00L

更新时间:2024-10-22 06:20:02

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UNR521E00L外观图

大小：130KB
厂家：
描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
数据列表：UNR521E00L View all Specifications
标准包装：3,000
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列：-
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）：47k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：60 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
频率 - 转换：150MHz
功率 - 最大：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商设备封装：S迷你型3-G1
包装：带卷 (TR)
其它名称：UN521E-(TX)UN521E-TXUN521ETRUN521ETR-NDUNR521E00LTR

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