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              XN0F25600L
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XN0F25600L

更新时间:2024-11-09 11:07:49
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XN0F25600L外观图

  • 大小：130KB
  • 厂家：
  • 描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1
  • 数据列表：XN0F25600L View All Specifications
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 50mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：80mV @ 2.5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 频率 - 转换：200MHz
  • 功率 - 最大：300mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-23-6
  • 供应商设备封装：MINI6-G1
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：XN0F25600LTR
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