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XP0421100L

更新时间:2024-11-07 14:43:52

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XP0421100L外观图

大小：130KB
厂家：
描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
数据列表：XP0421100L View all Specifications
标准包装：3,000
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列：-
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：35 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
频率 - 转换：150MHz
功率 - 最大：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：S迷你型6-G1
包装：带卷 (TR)
其它名称：XP0421100LTRXP4211-(TX)XP4211TRXP4211TR-ND

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