AT49BV1614A-70TI
1288
TSOP32/19+
现货+库存优势出
AT49BV1614A-90TI
116
TSOP/03+
-
AT49BV1614A
36000
-/2021
2021
AT49BV1614A
1003
BGA/24+
原厂原装现货
AT49BV1614A
12500
BGA/23+
全新原装现货,价格优势
AT49BV1614A
3757
BGA/2023+
终端可免费供样,支持BOM配单
AT49BV1614A
6342
BGA/22+
-
AT49BV1614A
15090
BGA/-
20年配单 只求现货匹配
AT49BV1614A
3588
-/-
原装 部分现货量大期货
AT49BV1614A
6000
-/-
-
AT49BV1614A
10000
TSOP/08+
全新
AT49BV1614A
1400
BGA68/20+
价格可以就出
。amba规范主要包括了ahb(advanced high performance bus)系统总线和apb(advanced peripheral bus)外围总线。为了拥有高速的数据交换通道,flash经由控制器模块通过ahb总线与处理器通信。nandflash控制器、norflash控制器和dma控制器都是高速总线ahb上的master模块,都包含符合amba标准的总线接口模块与ahb交互工作。 2.3 norflash的接口设计 系统用的norflash芯片是atmel公司开发的at49bv1614a,存储空间为16 mb,在系统中常用于存放代码,系统上电或复位后获得指令开始执行,因此,应将其配置到bank0,将at49bv1614a的片选端nce接至 s3c2410的ngcs0;at49bvl614a的输出使能端noe接s3c2410的noe;写使能端nwe接s3c2410的nwbe0;将模式选择nbyte上拉,使at49bv1614a工作在 16 位数据模式。 2. 4 norflash在系统中的具体操作 以at49bv1614a芯片时序图为例,具体说明norflash的写操作,
单电压读/写操作:2.65—3.6V;存取时间为70ns;扇区擦除架构:31个32K字(64KB)扇区具有独立的写入封锁,8个4K字(8KB)扇区具有独立的写入封锁;快速字编程时间为12μs;快速扇区擦除时间为300ms;双层组织,具有程序/擦除,允许并行读取;存储器A层:8个4K字,7个32K字扇区;存储器B层:24个32K字扇区;擦除暂停能力:通过不同扇区的暂停擦除,从任何扇区支持读/编程数据;低功率运行:30mA工作电流,10μA待机电流;Data轮询,触发位,Ready/Busy用于程序检测的结束;VPP引脚用于写保护;RESET输入用于设备初始化;支持扇区解锁;TSOP和CBGA封装选择;提供顶部或底部启动区块配置;128位保护寄存器
ize 0x200000 * 2 mb * */#define flash_bank_size 0x1000000 /*16mb 05.09.17/17:38*//*#define main_sect_size 0x10000 * 64 kb * */#define main_sect_size 0x20000 /*128kb 05.09.17/17:38*/flash_info_t flash_info[cfg_max_flash_banks];/* at49bv1614a codes *//*#define flash_code1 0xaa*/#define flash_code1 0x90 /*05.09.22/20:30*/#define flash_code2 0x55#define id_in_code 0x01#define id_out_code 0xf0/*#define cmd_read_array 0x00f0*/#define cmd_read_a
at91sam-ice能否对外扩flash进行编程我的系统设计如下: at91rm9200+at49bv1614a flash 程序代码放在at49bv1614a里面,请问能否用at91sam-ice对at49bv1614a进行程序烧写!盼回复!
flash id 是否可以更改?在用embest的仿真机对at49bv1614a编程时,正好同事启动电脑,然后embest online flash progeammer显示编程错误,再写也不行,擦除显示正常,实际没擦除(几分钟前烧的程序从新上电后依旧运行)。试了几回后发现id好象不对embest显示为0x1f0f0f0f,不会是受干扰时改写了flash id 吧。程序在ram中可以运行,embest online flash progeammer也重装过,就差换ic了。