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BC308 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GEN... KEC [KEC(Korea Electronics)] BC308PDF下载
BC308 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] BC308PDF下载
BC308 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSIS... MICRO-ELECTRONICS [Micro Electronics] BC308PDF下载
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bc308价格行情

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历史最低报价：￥0.0650 历史最高报价：￥2.5000 历史平均报价：￥0.5908

型号厂家封装批号数量日期价格
BC308 QG TO-92 11+ 50000 2012/7/11 9:49:53 0.0650/pcs
BC308 FSC 10+ TO-92 1000 2012/7/10 15:08:51 0.1300/pcs
BC308 FAIRCHILD 04+ TO-92 50000 2012/7/10 15:48:59 0.2500/pcs
BC308 SANYO TO92-3 05+ 452 2012/7/10 20:45:05 0.3000/pcs
BC308 FAIRCHILD TO-92 10+ 20000 2012/7/10 15:12:25 0.3000/pcs
BC308 MOT 2008 4444 2012/7/11 10:43:02 2.5000/pcs

bc308中文资料

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引脚图及结构图
相关电路图

标准包装:
2,000
类别:
分离式半导体产品
家庭:
晶体管(BJT) - 单路
系列:
-
晶体管类型:
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）:
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）:
25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:
500mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大）:
15nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):
120 @ 2mA，5V
功率 - 最大:
500mW
频率 - 转换:
130MHz
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:
TO-92-3
包装:
散装

BC308
电流参数：IC=-100mA电压参数：UCES=-30V/UCEO=-25V/UEBO=-5V功率：Ptot=500mW其他参数：fT=130MHz极性:PNP

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类别:

家庭:

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晶体管类型:

电流 - 集电极 (Ic)（最大）:

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:

电流 - 集电极截止（最大）:

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):

功率 - 最大:

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