带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
11560
TO3P3/11+
原装现货 支持实单
3000
TO3P3/23+
可信任的汽车芯片代理现货与生产技术方案商
FGA20N120FTDTU
3000
TO3P3/23+
可信任的汽车芯片代理现货与生产技术方案商
FGA20N120FTDTU
49
TO3P/10+
进口原装自己库存实库实数
FGA20N120FTD
30000
21+/-
原装正品优势，现货供应价优支持配单
FGA20N120FTD
20000
SOT121B/2023+
13%原装
FGA20N120FTD
5000
SMD/DIP/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务
FGA20N120FTD
1010
TO3P/24+
原厂原装现货
FGA20N120FTD
20000
TO3PN/21+
-
FGA20N120FTD
6000
TO3P/15+
义熙科技，只有原装，BOM配单
FGA20N120FTD
4800
TO247/23+
只做原装进口现货，专注配单
FGA20N120FTD
168000
TO3PN/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
FGA20N120FTD
20
TO3P/16+
只做原装，也只有原装
FGA20N120FTD
3000
SMD/DIP/10+
原装正品热卖，价格优势
FGA20N120FTD
20000
TO3PN/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
FGA20N120FTD
6500
TO3PN/23+
只做原装现货
FGA20N120FTD
68500
TO3P/2022+
一级代理，原装正品假一罚十价格优势长期供货
FGA20N120FTD
65286
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样
FGA20N120FTD
6000
TO3PN/22+
原装，提供BOM配单服务
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd和fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop(场截止)结构和抗雪崩的trench gate(沟道栅)技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8%的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关(zvs)技术而优化的快速恢复二极管(frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd和fga15n120ftd的主要特性包括
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop (场截止) 结构和抗雪崩的trench gate (沟道栅) 技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8%的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关(zvs)技术而优化的快速恢复二极管(frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n120f
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor) 推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop (场截止) 结构和抗雪崩的trench gate (沟道栅) 技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8% 的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关 (zvs) 技术而优化的快速恢复二极管 (frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor) 推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop (场截止) 结构和抗雪崩的trench gate (沟道栅) 技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8% 的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关 (zvs) 技术而优化的快速恢复二极管 (frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n1
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor) 推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop (场截止) 结构和抗雪崩的trench gate (沟道栅) 技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8% 的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关 (zvs) 技术而优化的快速恢复二极管 (frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n1
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop (场截止) 结构和抗雪崩的trench gate (沟道栅) 技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8%的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关(zvs)技术而优化的快速恢复二极管(frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n120f
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