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历史最低报价：￥1.0000 历史最高报价：￥30.0000 历史平均报价：￥7.2606

确定功率MOSFET的适用性
和脉冲宽度而变化。在某指定时刻的热阻叫做瞬态热阻，并由下式表达： z_{ jc}(t)=r(t) r_{ jc} (2) 这里，r(t)是与热容量相关，随时间变化的因子。对于很窄的脉冲，r(t)非常小；但对于很宽的脉冲，r(t)接近1，而瞬态热阻接近稳态热阻。大多数功率 mosfet 的数据表都具有与图 5 类似的图表。按照这个曲线，结区温度可由下式算出： t_{j}=p_{d}z_{ jc}(t)+t_{c] (3) 例如，当施加1 s 的2kw 功率脉冲于 fqa11n90c 时上升温度的计算，可由下式表达： t=p_{d}z_{ jc}(1 s)=2000 1.49 10^{-3}≈3℃ 虽然施加的功率并不小，但温度只升高了 3 ℃。注意：该数据表中给出的额定功耗是稳态额定功耗，而且在脉冲宽度较窄时，功率 mosfet 甚至能承受更大的功率脉冲。不过，在上面的例子中，功率脉冲宽度（t1）为1 s的瞬态热阻没有纳入图 5 中。在脉冲时间太短及超出图示范围的情况下，单一脉冲的瞬态热阻与时间的平方根成正比，即 z_{ jc}(1 s)由下式给出：其中z_{ jc

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MOSFET的实际击穿电压一般比额定值能高出多少？
结区能耗r_{ jc}：稳态下结区至管壳的热阻不过在很多应用中，功率 mosfet 中的能量是以脉冲方式耗散，而不是直流方式。当功率脉冲施加于器件上时，结区温度峰值会随峰值功率和脉冲宽度而变化。在某指定时刻的热阻叫做瞬态热阻，并由下式表达：z_{ jc}(t)=r(t) r_{ jc} (2)这里，r(t)是与热容量相关，随时间变化的因子。对于很窄的脉冲，r(t)非常小；但对于很宽的脉冲，r(t)接近1，而瞬态热阻接近稳态热阻。大多数功率 mosfet 的数据表都具有与图 5 类似的图表。图5 fqa11n90c器件的瞬态热响应曲线（略）按照这个曲线，结区温度可由下式算出：t_{j}=p_{d}z_{ jc}(t)+t_{c] (3)例如，当施加1 s 的2kw 功率脉冲于 fqa11n90c 时上升温度的计算，可由下式表达：t=p_{d}z_{ jc}(1 s)=2000 1.49 10^{-3}≈3℃ 虽然施加的功率并不小，但温度只升高了 3 ℃。注意：该数据表中给出的额定功耗是稳态额定功耗，而且在脉冲宽度较窄时，功率 mosfet 甚至能承受更大的功率脉冲。不过，在上面的例子中，功率脉冲宽度（t1

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