4800
1527+/DIRECTFET7
-
IRF6617TR1
15927
SMD/13+
原装现货，只做原厂原装
IRF6617
6000
DirectFET/22+
原装，提供BOM配单服务
IRF6617
3685
DIRECTFET ST/23+
原装，现货库存
IRF6617
30000
21+/-
原装正品优势，现货供应价优支持配单
IRF6617
9000
SOP/19+
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IRF6617
9575
QFN/2023+
专注全新,优势现货供应
IRF6617
5690
QFN/21+
全新原装现货 物美价廉.
IRF6617
12260
-/23+
高品质 优选好芯
IRF6617
16800
QFN/2223+
保证全新原装，每一片都来自原厂
IRF6617
90000
SOP8/23+
原厂渠道，现货配单
IRF6617
80000
-/23+
原装现货
IRF6617
51005
-/24+
原厂原装现货,提供一站式配单服务
IRF6617
57790
MICR08/23+
进口原装现货 实单价格可谈
IRF6617
23299
QFN/06+
只做原装，也只有原装
IRF6617
5000
-/23+
原装库存，提供优质服务
IRF6617
25000
DirectFET/22+
只做原装进口现货，专注配单
IRF6617
105000
DirectFET/23+
原厂代理 终端免费提供样品
l rectifier，简称ir）近日推出两款新型的30v directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款intel和amd处理器的笔记本电脑设计，满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低（低导通电阻），逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐（st）directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐（mp）directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐（mx）directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为ir
本文介绍美信公司的max8720单相降压式dc/dc控制器及飞兆公司的多相降压式dc/dc控制器fan5019b组成的电路中的mosfet损耗计算。损耗计算公式是非常简单的，关键是如何从mosfet样本或数据资料中正确地选取有关参数。 mosfet主要参数的选取 id及pd值的选取 mosfet的资料中，漏极电流id及允许耗散功率pd值在不同条件下是不同的，其数值相差很大。例如，n沟道功率mosfet irf6617的极限参数如表1所示。 表1 连续工作状态下的极限值 最大漏极电流idm=120a(以最大结温为限的脉冲状态工作)。 不同的mosfet生产厂家对id及pd的表达方式不同。例如，安森美公司的ntmfs4108n的id及pd参数如表2所示。 表2最大极限值(tj=25℃，否则另外说明) 最大漏电
）近日为用于服务器和工作站的amd opteron（皓龙）和 athlon（速龙）64 处理器推出了ir3082多相控制ic。 ir3082的推出延伸了ir xphase可扩展多相ic的产品种类，与directfet 功率mosfet相配合，为中高档服务器、电压调节器模组（vrm）和大电流电信应用提供了最佳的多相dc-dc功率解决方案。 ir3086a相位ic和ir3082控制ic以其完善的性能和灵活性实现了完整的opteron和athlon 64功率解决方案。以每个相位采用一颗irf6617控制fet和一颗irf6691同步fet的12v四相设计为例，在80a输出电流的情况下，可实现高达86％的输出效率。 ir xphase结构与其他固定相位数的多相解决方案不同，它能够实现可扩展的多相设计。ir3082只需配合5位电压编程及少量外置元件即可工作，可以简化一般应用及不针对特定处理器的多相应用。：“ ir3082在5位电压识别码（vid）的情况下，系统的整体精度为1.0%。其自适应电压定位功能，可在保持输出电压容差的同时，降低对输出电容器的要求。该元件还设有ir专利的截
国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出ir3084和ir3084u两款xphase 控制ic，延伸了ir xphase可扩展多相转换器芯片组产品。新的ic能够与ir现有的ir3086a相位ic和irf6617、irf6691等directfet功率mosfet配合使用，在130a的应用中实现 7相位，可比5相位的设计提高3%的工作效率。 ir3084符合intel vr10.x和vr11微处理器核心电源的要求，而ir3084u则是一款通用电压识别（vid）器件，是同时针对vr10.x和vr11及amd opteron vid代码和启动序列的产品。 xphase芯片组是为增强台式机、服务器、稳压模块（vrm） 和嵌入式系统的功率密度和效率而设计的。由于相位数目由5个增加到7个，每相位电流也相应下降，因此设计人员可以使用更小型的电感器和更少的输出电容器。这将使电路面积由3,200 mm2减小到2,400 mm2，节省了25%的电路板面积。 7相位的ir3084解决方案包含ir6617和irf6691 功率mosfet，可在满载电流下
公司(international rectifier，简称ir)近日推出两款新型30v directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新产品适用于安装了最新款intel和amd处理器的笔记本电脑设计。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻)，逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st) directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐(mp) directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为irf66
更高效率。由于封装体积更小，只需单个控制和单个同步mosfet便可在大电流下工作，因此功率密度高于传统封装。也就是说，这些芯片组具有更好的热性能，面积也更小，最适用于体积超小、需要提高电池使用效率的移动计算应用。 新品的每一款芯片组都包含一个控制mosfet和一个同步mosfet，而每个器件都经过特别设计，在同步dc-dc降压转换器电路中发挥最佳性能。控制mosfet具有更低的开关损耗，同步mosfet的传导损耗更低(低导通电阻)，逆向恢复电荷也很低。 其中一款芯片组包含irf6617控制场效应管和irf6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20a。另一款芯片组则包含irf6637控制场效应管和irf6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20a的应用，可有效提升热性能。 irf6617控制场效应管采用小罐(st)directfet封装，irf6637控制场效应管则采用中罐(mp)directfet封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐(mx)directfet封装，可以轻松地将irf6611替换为
同组成，内部通过简单的五线总线模式进行通信。相位的增加或减少无需更改基本设计。五线模拟总线由偏置电压、相位时序、均流、误差放大器输出及vid电压组成。五线总线可以省去控制与相位ic之间的点对点布线，从而缩短互连结构，降低寄生电感和噪声，简化印制电路板布局，得到更可靠耐用的设计。 ir3086a相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™功率mosfet共同为中高档服务器、电压调节器模块（vrm）和大电流电信应用等提供多相dc-dc功率解决方案。以每个相位设计采用一颗irf6617控制fet和一颗irf6691 同步fet的12v四相设计为例，在80a输出电流的情况下，可实现高达86%的输出效率。 ir销售及公司营销部执行副总裁robert grant指出：“能被中国杰出的工程设计群体认可，我们感到非常荣幸，也非常高兴看到ir在开发新的功率管理方案和构架方面的领导地位正迅速为全球所接受。”
今日电子》杂志的编辑将此荣誉颁发给了这一具有创新意义的控制芯片，因为它具有更广泛的应用，在性能方面也十分突出。 与其他具有固定相位数的多相解决方案不同，ir的xphase构架能实现可扩展的多相设计:ir3082采用五位电压编程，而且只需少量外部元件，简化了多相应用。 ir3086a 相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™ 功率mosfet共同为中高档服务器、电压调节器模块(vrm)和大电流电信应用等提供多相dc-dc功率解决方案。以每个相位设计采用一颗irf6617控制fet和一颗irf6691 同步fet的12v四相设计为例，在80a输出电流的情况下，可实现高达86%的输出效率。 ir销售及公司营销部执行副总裁robert grant指出:“能被中国杰出的工程设计群体认可，我们感到非常荣幸，也非常高兴看到ir在开发新的功率管理方案和构架方面的领导地位正迅速为全球所接受。”
辑将此荣誉颁发给了这一具有创新意义的控制芯片，因为它具有更广泛的应用，在性能方面也十分突出。 与其他具有固定相位数的多相解决方案不同，ir的xphase构架能实现可扩展的多相设计：ir3082采用五位电压编程，而且只需少量外部元件，简化了多相应用。 ir3086a 相位ic和ir3082控制ic、ir directfet™ 功率mosfet共同为中高档服务器、电压调节器模块（vrm）和大电流电信应用等提供多相dc-dc功率解决方案。以每个相位设计采用一颗irf6617控制fet和一颗irf6691 同步fet的12v四相设计为例，在80a输出电流的情况下，可实现高达86%的输出效率。 ir销售及公司营销部执行副总裁robert grant指出：“能被中国杰出的工程设计群体认可，我们感到非常荣幸，也非常高兴看到ir在开发新的功率管理方案和构架方面的领导地位正迅速为全球所接受。” 关于 xphase™ xphase是ir推出的分布式多相位架构，由一组控制ic和相位ic共同组成，内部通过简单的五线总线模式进行通信。相位的增加或减少无需更改
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