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用于下一代分布电源结构的直流总线变换器和负载点电源模块技术
在满载电流下具有大约96.4%的效率。图1显示了48v直流输入的原理图，它可用于36到75v输入电压宽范围、220w直流总线变换器电路。在初级，ir2085s 控制器和驱动器ic 驱动两个irf6644 低电荷directfet封装功率mosfet，它是100v 的n-沟道功率mosfet。初级的偏置电压通过一个线性稳压器来获得，并用于启动，然后在稳态下由变压器获得。irf7380，是双80v n-沟道功率mosfet，集成在so-8封装内，被用于获得该功能。在次级，新颖的30v n-沟道irf6612 或irf6618 directfet封装功率mosfet用于自驱动的同步整流拓扑结构中。对于12v输出应用来说，新型的40v n-沟道irf6613 可用作同步整流mosfet，这个单元在小于1/8砖的外形达到了超过96%的效率，跟传统相比，效率大约高出3-5%，体积减少了50%，是完全稳压的、板上安装的功率变换器。在比较直流总线变换器的directfet封装与标准的so-8产品的性能时，这里有一些重要的结果。so-8产品由于热能力的原因限制功率在150w，除此之外， so-8
分布式电源系统中直流母线电压变换器的选择与应用
，在这个电路中，原边使用控制器和驱动器集成电路ir2085s，它推动两只 irf7493 型fet晶体管───这是新一代低电荷、80 v的n型沟道mosfet功率晶体管，它采用so-8封装。在输入电压为36 v至75 v时，这只 fet 晶体管可以换成100v的irf7495fet 晶体管。在启动时，原边的偏置电压是由一只线性稳压器产生，在稳态时，则由变压器产生原边偏置电压。irf7380中包含两个80v的 n型沟道 mosfet功率晶体管，采用so-8封装，就是用于在稳态时产生原边偏置电压。 irf6612或者 irf6618──这是使用directfet封装的新型30v、 n型沟道 mosfet功率晶体管，可以用于副边的自驱动同步整流电路。 directfet 半导体封装技术实际上消除了mosfet晶体管的封装电阻，最大程度地提高了电路的效率，处于导通状态时的总电阻很小。利用directfet 封装技术，它到印刷电路板的热阻极小，大约是1°c/w，directfet器件的半导体结至顶部（外壳）的热阻大约是 1.4°c/w。 irf6612 或者irf6618的栅极驱动电压限

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