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IRFR9110 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2... IRF IRFR9110PDF下载
IRFR9110 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Pow... INTERSIL IRFR9110PDF下载
IRFR9110 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2... IRF [International Rectifier] IRFR9110PDF下载
IRFR9110 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Pow... INTERSIL [Intersil Corporation] IRFR9110PDF下载
IRFR9110TR Power MOSFET VISAY [Vishay Siliconix] IRFR9110TRPDF下载
IRFR9110PBF MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK IRFR9110PBFPDF下载
IRFR9110PBF HEXFET Power MOSFET IRF [International Rectifier] IRFR9110PBFPDF下载
IRFR9110TRL Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2... IRF IRFR9110TRLPDF下载
IRFR9110TRL Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2... IRF [International Rectifier] IRFR9110TRLPDF下载
IRFR9110TRPBF MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK IRFR9110TRPBFPDF下载

irfr9110价格行情

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历史最低报价：￥0.5000 历史最高报价：￥7.0000 历史平均报价：￥1.2587

型号厂家封装批号数量日期价格
IRFR9110 IR D-PAK 07+ 2008/4/21 0:00:00 0.5000/pcs
IRFR9110 IR 252 07+ 2008/4/18 0:00:00 0.5000/pcs
IRFR9110 IR TO-252/251 06+ 2008/4/19 0:00:00 0.5500/pcs
IRFR9110 D-PAK 05+(PB-FRE 2008/4/19 0:00:00 0.6000/pcs
IRFR9110 IR D-PAK 06+ 2008/4/18 0:00:00 0.6000/pcs
IRFR9110 IR TO-252 07+ 2008/4/18 0:00:00 0.6000/pcs
IRFR9110 IR D-PAK 2008/4/19 0:00:00 0.7000/pcs
IRFR9110 IR D-PAK 07＋ 2008/4/18 0:00:00 0.7000/pcs
IRFR9110 IR D-PAK 06+ 2008/4/18 0:00:00 0.7000/pcs
IRFR9110 IR TO-252 2008/4/18 0:00:00 0.7200/pcs

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数据列表:
IRFR9110, IRFU9110
标准包装:
3,000
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
-
FET 型:
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点:
标准型
漏极至源极电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
3.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
1.2 欧姆 @ 1.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
8.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
200pF @ 25V
功率 - 最大:
2.5W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装:
D-Pak
包装:
管件
其它名称:
*IRFR9110

IRFR9110
3.2A/100V

找个耗尽型P沟道的MOS管咋就这么难呢？
刚刚查了下，awey兄所说的各个参数导通电压2~4v，电流最大可到3.6a，导通电阻为1.5欧姆，那天去电子市场也注意了下别的型号的增强型pmos场效应管，似乎没有哪个管子的参数裕量比9220还小的，只有irfr9110，电流为3.1a，导通电阻为1.2欧姆，25w，但和9220也没差多少！呵呵

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数据列表:

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

IRFR9110

找个耗尽型P沟道的MOS管咋就这么难呢？

irfr9110替代型号

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标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

IRFR9110

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