6800
TSOP48/2403+
主营内存.闪存全系列 ，欢迎咨询
6000
TSOP48/2318+
主营内存.闪存全系列 ，欢迎咨询
1500
BGA/21+
亏本出仓库现货 原装原盒原包
K9F4G08U0A-PCB0
4578
TSOP/2022+
原装现货
K9F4G08U0A-PCB0
5000
TSOP48/23+
长期经营各类电子芯片，只做原装20年老牌供应商
K9F4G08U0A-PCB0
960
TSOP48/22+
全网价保证原装
K9F4G08U0A-PCB0
9600
TSOP48/24+
假一罚十，原装进口现货供应，价格优势
K9F4G08U0A-PCB0
11000
TSSOP48/23+
中国区代理全新原装现货供应
K9F4G08U0A-PCB0
3840
TSOP/2024+
进口原装现货支持实单
K9F4G08U0A-PCB0
10000
TSOP48/1316+
询价加Q
K9F4G08U0A-PCB0
2205
TSOP48/21+
原厂优势渠道，价格超越同行代理附带原厂出货证明
K9F4G08U0A-PCB0
17040
TSOP48/2201
SAMSUNG专营价优
K9F4G08U0A
60701
TSSOP/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照
K9F4G08U0A
14850
TSSOP/2022+
特价现货，没有最低，只有更低
K9F4G08U0A
21403
TSSOP/23+
原装现货，长期供应
K9F4G08U0A
5240
TSSOP/21+
中研正芯，只做原装
K9F4G08U0A
51005
TSSOP/24+
原厂原装现货,提供一站式配单服务
K9F4G08U0A
5000
TSSOP/23+
原装库存，提供优质服务
K9F4G08U0A
8700
TSSOP/23+
原装现货
0nm dram，比其它任何供应商的90nm dram都早。三星还将可能是第一家制造80nm dram的厂商，当许多竞争对手还在为90nm工艺技术的量产而努力时，三星的80nm dram可能已经问世。目前已很清楚，与dram相比，nand闪存产品将更多地采用先进的工艺节点制造。在nand市场，三星是第一家采用 70/73nm节点的厂商，现在又是它率先推出65nm节点产品。东芝和hynix等nand对手紧随其后，各自拥有一些技术优势。 创新的工艺技术 三星的65nm 4gb nand闪存(k9f4g08u0a)是一款采用每单元单比特sbc(single-bit-per-cell)技术的单片器件。该器件采用三层金属、双多晶(triple-metal, double-poly)的65nm cmos工艺制造，裸片大小131mm2。其中的单晶体管闪存单元的尺寸约为0.126×0.13μm大小，整个单元面积仅有0.016μm2。总的额定比特效率为31.3mb/mm2。 这款65nm器件的尺寸比先前采用73nm工艺节点制造的器件小15.9%。但65nm器件的裸片效率是54%，比73nm器件低了约6%。效率的
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