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基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路设计

摘 要：本文介绍了高速双mosfet驱动器mc34152的内部结构、工作原理以及由mc34152与cmos逻辑器件组成的软开关变换器驱动电路的设计。 关键词：驱动电路；功率mosfet；开关电源；变换器 引言 在高频pwm开关变换器中，为保证功率mosfet在高频、高压、大电流下工作，要设计可靠的栅极驱动电路。一个性能良好的驱动电路要求触发脉冲应具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭；驱动源的内阻要足够小、电流要足够大，以提高功率mosfet的开关速度；为了使功率mosfet可靠触发导通，栅极驱动电压应高于器件的开启电压；为防止误导通，在功率mosfet截止时最好能提供负的栅-源电压。而对于软开关变换器，在设计驱动电路时，还需考虑主开关与辅助开关驱动信号之间的相位关系。本文以升压zvt-pwm变换器为例，用集成芯片mc34152和cmos逻辑器件设计了一种可满足以上要求的软开关变换器驱动电路。 mc34152 mc34152是一款单片双mosfet高速集成驱动器，具有完全适用于驱动功率mosfet的两个大电流输出通道，且具有低输入电流，可与cmos和lsttl逻辑电路相容。

基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路的设计

器中，为保证功率mosfet在高频、高压、大电流下工作，要设计可靠的栅极驱动电路。一个性能良好的驱动电路要求触发脉冲应具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭；驱动源的内阻要足够小、电流要足够大，以提高功率mosfet的开关速度；为了使功率mosfet可靠触发导通，栅极驱动电压应高于器件的开启电压；为防止误导通，在功率mosfet截止时最好能提供负的栅-源电压。而对于软开关变换器，在设计驱动电路时，还需考虑主开关与辅助开关驱动信号之间的相位关系。本文以升压zvt-pwm变换器为例，用集成芯片mc34152和cmos逻辑器件设计了一种可满足以上要求的软开关变换器驱动电路。 mc34152 mc34152是一款单片双mosfet高速集成驱动器，具有完全适用于驱动功率mostlet的两个大电流输出通道，且具有低输入电流，可与cm0s和lsttl逻辑电路相容。 mc34152的每一通道包括逻辑输入级和功率输出级两部分。输入级由具有最大带宽的逻辑电路施密特触发器组成，并利用二极管实现双向输入限幅保护。输出级被设计成图腾柱(totem pole)电路结构形式。基准电压为5.7v的比较器与施密特触发器输

基于升压ZVT-PWM的软开关变换器驱动电路设计

保证功率mosfet在高频、高压、大电流下工作，要设计可靠的栅极驱动电路。一个性能良好的驱动电路要求触发脉冲应具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭；驱动源的内阻要足够小、电流要足够大，以提高功率mosfet的开关速度；为了使功率mosfet可靠触发导通，栅极驱动电压应高于器件的开启电压；为防止误导通，在功率mosfet截止时最好能提供负的栅-源电压。而对于软开关变换器，在设计驱动电路时，还需考虑主开关与辅助开关驱动信号之间的相位关系。 本文以升压zvt-pwm变换器为例，用集成芯片mc34152和cmos逻辑器件设计了一种可满足以上要求的软开关变换器驱动电路。 mc34152 mc34152是一款单片双mosfet高速集成驱动器，具有完全适用于驱动功率mosfet的两个大电流输出通道，且具有低输入电流，可与cmos和lsttl逻辑电路相容。 mc34152的每一通道包括逻辑输入级和功率输出级两部分。输入级由具有最大带宽的逻辑电路施密特触发器组成，并利用二极管实现双向输入限幅保护。输出级被设计成图腾柱 (totem pole)电路结构形式。基准电压为5.7v的比较器与施

基于SG3525电压调节芯片的PWMBuck三电平变换器

5能输出两路占空比相等，且相位相差180°的驱动信号，所以适合于用来实现对非隔离型pwm三电平变换器的控制。有一点需要注意的是，sg3525只能输出占空比<50％的驱动信号，所以只能实现非隔离型三电平变换器的占空比<50％的工作情况。至于要实现变换器的占空比>50％的工作要求，则不能将sg3525的输出直接驱动开关管，而必须附加一些环节，对此本文不加赘述。 2.2 驱动电路为提高电路的效率及功率器件工作的可靠性，一般需要将控制电路的输出信号加以功率放大。本文采用mc34152加隔离变压器驱动的方法来设计驱动电路。mc34152的外围电路简单，应用方便。它是8管脚的同相推挽驱动芯片，具体的内部结构和封装如图4所示。脚2与脚4为两路控制信号输入，经过芯片内部的推挽放大，直接输出同相的两路驱动信号(脚7及脚5)。为使芯片更加稳定地工作，一般在芯片的电源端并联一个滤去高频干扰的瓷片电容和一个滤去低频干扰的电解电容。当电路的功率较大及工作频率较高时，一般要将控制电路与主电路隔离。所以，本文采用隔离变压器来实现隔离。mc34152的输出经一隔直电容后直接可以输入到隔离变压器的原

简述程控恒流源电路设计

58，输入单片机的ad输入口，与基准电压相比较，用pi算法控制pwm的脉冲宽度，调整占空比，实现恒流输出，电路如图3所示。 在电流输出端接上采样电阻，由电流输出端采集到的经分压处理后得到采样反馈信号，信号经由运放后送入单片机。单片机adc模块对信号进行a／d转换，获得的电流值送入led显示。 1.4 pwm驱动电路 xcl64cm系列中的几款产品具有捕获比较单元6（capcom6），该单元由带有3路捕获／比较通道的定时器t12和带有1路比较通道的定时器t13组成。 在该电路中采用了mc34152，该器件是双转换高速驱动器，专门设计用于连接低电流数字电路与功率mosfet，具有低输入电流，可以与互补型金属氧化物半导体（cmos）和晶体管-晶体管逻辑（ttl）电路相容。具体框图如图4所示。 从图4中可以看到，引脚2、4为信号输入端，引脚5，7为同相输出端，每个推挽电路驱动输出端的输出和吸收电流能够达到1.5 a。产生的pwm信号用光耦隔离，隔离电压冲击及噪声串扰串口通信电路。 2 系统软件设计 多通道恒流源系统软件共分为5个部分：初始化程序；通道电流设定、显示程序；电流闭环pi控

基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路设计

　　摘  要：本文介绍了高速双MOSFET驱动器MC34152的内部结构、工作原理以及由MC34152与CMOS逻辑器件组成的软开关变换器驱动电路的设计。
　　关键词：驱动电路；功率MOSFET；开关电源；变换...

基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路的设计

引言

在高频PWM开关变换器中，为保证功率MOSFET在高频、高压、大电流下工作，要设计可靠的栅极驱动电路。一个性能良好的驱动电路要求触发脉冲应具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭；驱动源的内阻要足够小、电流要足够大，...

MC34152PG的技术参数

产品型号:MC34152PG
工作电压最小值(V):6.500
工作电压最大值(V):18
输出通道:2
驱动器配置:同相
输出峰值电流(A):1.500
上升时间(ns):120
下降时间(ns):120
封装/温度(℃):8PDIP/0~70
描述:双高速同相MOSFET驱动器

MC34152DR2G的技术参数

产品型号:MC34152DR2G
工作电压最小值(V):6.500
工作电压最大值(V):18
输出通道:2
驱动器配置:同相
输出峰值电流(A):1.500
上升时间(ns):120
下降时间(ns):120
封装/温度(℃):8SOIC/0~70
描述:双高速同相MOSFET驱动器...

MC34152DG的技术参数

产品型号:MC34152DG
工作电压最小值(V):6.500
工作电压最大值(V):18
输出通道:2
驱动器配置:同相
输出峰值电流(A):1.500
上升时间(ns):120
下降时间(ns):120
封装/温度(℃):8SOIC/0~70
描述:双高速同相MOSFET驱动器

MC34152

无铅封装可供；2个独立的通道，具有1.5A推拉输出电路输出；输出的上升和下降时间为15ns具有1000pF负荷；CMOS/LSTTL兼容输入具有迟滞；欠压锁定与迟滞；低待机电流；高效率高频操作；提高系统性能具有普通开关稳压器控制ICS