当前位置:维库电子市场网>IC>mgf1801 更新时间:2024-11-19 06:40:00

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mgf1801中文资料

  • C波段介质振荡器的研究与设计

    荡场效应管的正确位置。给部件建立模型时必须注意它们的寄生参数会使得最终的振荡器特性的寄生响应增加,例如3次谐波对最终振荡电路的影响,然而通过精细设计这些网络与部件的参数,最终振荡电路的性能不会受到很大的影响。 利用ads软件的谐波平衡分析方法,可以得到以下的仿真结果:在5.9ghz的频率上,其输出功率超过9dbm,相位噪声为-125dbc/hz@10k hz,-145dbc/hz@100khz. 4 设计实例 在本设计中,基板板材介电常数9.6,fet选择采用三菱公司的场效应管mgf1801进行设计,通过偏置使其工作在vds=6 v,id=100 ma的工作点上。不加介质块时,应不产生振荡或者振荡频率远离所需振荡频率;加上介质块后,盖上谐振腔盖板后,调节螺杆,如果螺杆向下旋进时频率增加,则说明介质块的谐振频率牵引住了电路的自激频率,此时可以调整到所需振荡频率,如果螺杆向下旋进时频率减小或时增时减,则说明介质块的谐振频率没有牵引住电路的自激频率,应调整介质块的位置:当调至所需频率后,再看频率是否稳定,此时振荡频率应在所需频率处有小范围地上下浮动。通过调试可以得到以下的测试结果:图5所

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