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mj15012中文资料

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 产品种类:

    Transistors Bipolar (BJT)

  • 晶体管极性:

    PNP

  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:

    250 V

  • 发射极 - 基极电压 VEBO:

    5 V

  • 最大直流电集电极电流:

    10 A

  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:

    20

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装 / 箱体:

    TO-204-2 (TO-3)

  • 封装:

    Tray

  • 集电极连续电流:

    10 A

  • 最小工作温度:

    - 65 C

  • 功率耗散:

    200 W

  • 工厂包装数量:

    100

  • MJ15012G的技术参数

    产品型号:MJ15012G
    类型:PNP
    集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):140
    集电极最大电流IC(Max)(A):10
    直流电流增益hFE最小值(dB):20
    直流电流增益hFE最大值(dB):100
    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3
    总功耗PD(W):200
    封装/...

mj15012替代型号

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